La technique de diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD) permet de déterminer les orientations cristallographiques sur des matériaux mono- ou poly-cristallins, mono- ou poly-phasés. Elle est mise en œuvre en équipant un microscope électronique à balayage, d'un détecteur spécifique EBSD. On utilise la diffraction des électrons rétrodiffusés élastiquement pour obtenir, sur un écran cathodoluminescent, un diagramme de diffraction constitué de pseudo-bandes de Kikuchi, caractéristique de l'orientation du grain analysé. Une cartographie d'orientation des grains peut être obtenue en balayant le faisceau d'électrons à la surface de l’échantillon. L’information donnée par cette technique provient d’une profondeur, sous la surface libre de l'échantillon, de quelques dizaines de nm.
Cartographie d'orientation des grains WC dans matrice Co (Ech. S. Lay SIMAP)
Cartographie d'orientation des phases Ti alpha et ß EBSD en Transmission (Ech. M. Véron SIMAP)
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